第二周主存储器组织
第1讲 存储器基本概念
访存操作和基本术语
存储器分类
第2讲 主存的基本结构
第3讲 主存的性能指标
第4讲 半导体存储器组织
六管静态MOS管电路（4m32s）
单管动态记忆单元电路（3m55s）
半导体RAM的组织（3m01s）
DRAM芯片举例
第5讲 内存条组织与总线宽度
SPARC station 20的内存条（9m59s）
PC中的内存条（4m18s）
内存条与CPU的连接（6m24s）
第6讲 主存模块的连接与读写操作（4m08s）
第二周小测验
错题序号：10
1下列几种存储器中，（ C ）是易失性存储器。
A.CD-ROM
B.Flash Memory
C.cache
D.EPROM
正确答案：C
2下面有关半导体存储器组织的叙述中，错误的是（ B ）。
A.每个存储单元有一个编号，就是存储单元的地址
B.同一个存储器中，每个存储单元的宽度可以不同
C.存储器的核心部分是存储阵列，由若干存储单元构成
D.存储单元由若干个存放0或1的记忆单元（cell）构成
解析： B、现代计算机的主存储器由半导体存储器构成，其中存放信息的地方称为存储阵列；每个存储阵列包含若干个存储单元，每个存储单元由若干个记忆单元（cell）构成，每个记忆单元存放一位信息（0或1）。
某一台计算机的主存储器编址方式，总是由其对应的指令集体系结构（ISA）确定的；现代通用计算机大多采用按字节编址方式，即主存储器中每个字节有一个地址，也即每个存储单元的宽度都是8位。
3若某个内存条容量为1GB，则说明该内存条中可存储（ C ）个字节。
A.10^30
B.10^9
C.2^30
D.2^9
正确答案：C你选对了
4某32位计算机，主存地址为32位，按字节编址，则该计算机的主存地址范围是（C ）。
A.1～4G
B.1～32G
C.0～(4G-1)
D.0～(32G-1)
解析： C、因为主存地址为32位，所以主存地址空间占2^32=4G个存储单元；因为按字节编址，因此，主存最大可存储的信息量为4GB=32Gbits。主存储器总是从0开始编号，因此存储单元的地址为0、1、2、……、2^32-1=4G-1。这里，4G-1=2^32-1=1 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 -1 = 1111 1111 1111 1111 1111 1111 1111 1111 = FFFF FFFFH。
5假定主存地址空间大小为1024MB，按字节编址，每次读写操作最多可以一次存取32位。不考虑其它因素，则存储器地址寄存器MAR和存储器数据寄存器MDR的位数至少应分别为（ C ）。
A.28，32
B.28，8
C.30，32
D.30，8
解析： C、因为1024M=2^30，所以MAR至少为30位。
6采用行、列地址引脚复用的半导体存储器芯片是（ B ）。
A.SRAM
B.DRAM
C.EPROM
D.Flash Memory
正确答案：B你选对了
7下面有关ROM和RAM的叙述中，错误的是（ B ）。
A.ROM和RAM都采用随机访问方式进行读写
B.计算机系统的主存都用DRAM芯片实现
C.计算机系统的主存由RAM和ROM组成
D.RAM是可读可写存储器，ROM是只读存储器
正确答案：B你选对了
8下面有关半导体存储器的叙述中，错误的是（A ）。
A.半导体存储器都采用随机存取方式进行读写
B.SRAM是半导体静态随机访问存储器，可用作cache
C.ROM芯片属于半导体随机存储器芯片
D.DRAM是半导体动态随机访问存储器，可用作主存
解析： A、有些情况下，可用半导体存储器实现相联存储器，即按内容进行访问，而不是按地址进行随机读写。
9存储容量为16K×4位的DRAM芯片，其地址引脚和数据引脚数各是（ B ）。
A.14和1
B.7和4
C.7和1
D.14和4
解析： B、因为DRAM芯片存储容量为16K×4位，故该芯片共有16K=2^14个存储单元，应该有14位地址，行、列地址引脚复用后，芯片的地址引脚数为7。每个存储单元占4位，因此芯片的数据引脚数为4。
10假定用若干个16K×8位的存储器芯片组成一个64K×8位的存储器，芯片各单元交叉编址，则地址BFFFH所在的芯片的最小地址为（A ）。
A.0003H
B.0000H
C.0001H
D.0002H
解析： A、用若干个16K×8位的存储器芯片构成64K×8位的存储器，需要64K×8位/（16K×8位）= 4个芯片。因为采用交叉编址方式，所以，存储单元地址对4取模后，低两位相同的存储单元在同一个芯片中。BFFFH的最低两位为11，显然，与0003H在同一个芯片中。